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DRAM (Dynamic Random Access Memory)

【ディー・ラム】

別名
ダイナミックRAM
ダイナミック・メモリ

最終更新日: 2002/03/03

 1つのコンデンサと1つのトランジスタによって1bitのデータの記録・保持を行う、半導体メモリICの一種。コンデンサ(「セル」という)に蓄えられた電荷の有無により、データの「0」と「1」を表現する。例えば1Mbit(1024×1024bit)の容量を持つDRAMの場合、1024行×1024列のセルから構成されている。

 DRAMからデータを読み出したり書き込んだりする場合、データを記録するセルの位置を指定するためにアドレスという情報を与える必要がある。DRAMではこのアドレスを2回に分けて与えることになっており、最初に与えるアドレスを「行アドレス(Row Address)」、後で与えるアドレスを「列アドレス(Column Address)」という。2回に分けることにより、アドレス指定に必要とするピン数を半分にして、パッケージのサイズを抑えることができる。内部動作的には、行アドレスを使って、指定された1行のデータをすべて読み出し、次に列アドレスを使ってその中から1bitを選択する。

 コンデンサに蓄えられた電荷は、時間とともに漏洩して減少していくため、正しいデータを保持し続けるためには、定期的にリフレッシュと呼ばれるプリチャージ(再充電)の操作が必要となる。また、データを読み出すときにコンデンサ内の電荷が失われるので(破壊読み出しされるので)、1回データを読み出した後にも、やはりプリチャージが必要となる。プリチャージ中やリフレッシュ動作中は、データの読み書きは行えない。

 DRAMは同程度の製造技術を用いた場合、回路が単純なのでSRAMに対して約4倍の記録密度が実現できる。同じ記録容量を実現する場合、SRAMに比べてDRAMの製造コストのほうが安いため、PCのメインメモリとして広く使われている。最近では、バースト転送速度を高めたSDRAMやDDR SDRAM、Direct RDRAMといったメモリがよく使われている。

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