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フラッシュメモリ (flash memory)

別名
flash memory 【フラッシュメモリ】
フラッシュROM (flash Read Only Memory) 【フラッシュ・ロム】

最終更新日: 2002/04/03

 不揮発性ROMメモリの一種で、大容量化に向いている。コンピュータシステムのBIOSや電子機器の制御プログラムの格納用という従来のEEPROM(UV-EPROM)的な使い方だけでなく、大容量という特徴を活かして、ディスク的なデータ格納用途としても使われている。デジタルスチルカメラ、モバイル機器などで普及しているスマートメディアやコンパクトフラッシュはその代表的な用途。

 フラッシュメモリは、基本的には、EEPROM(紫外線消去可能なUV-EPROMの置き換え品)の一種であるが、構造的には、EEPROM(UV-EEPROM)が1bitあたり2トランジスタ必要なのに対し、回路を工夫して1bitあたり1トランジスタですむようにしている(1セルで2値以上の記憶をする技術も開発されている)。また、消去も8Kbytesとか64Kbytesなどというブロック単位で行うようにして内部構造を簡略化し、その分大容量化を図っている。これにより、EEPROMでは1byte単位で消去、書き込みできるが、フラッシュメモリはブロック単位の消去と1byte単位での書き込みが可能、という違いがある。書き込み時間はフラッシュメモリの方が1000倍程度速く、その高速な書き換え性能を活かして、ディスク的なデータ保存用途にも向いている(EEPROMは書き換えが遅いので、頻繁に書き込むような用途には向かない)。ただし、最近ではフラッシュメモリの記憶構造やデータ管理方法を工夫して、部分的に書き換えるような使い方にも対応できるように改良されている。

 フラッシュメモリは、その内部の基本回路構成によってNOR型とNAND型という2つの種類に分けられる。NOR型は、ランダムアクセス能力に優れ、1byte単位での書き込みが可能なので、プログラムコードの格納やコンフィギュレーションパラメータの記憶などに使われている。NAND型は、1byte単位での書き込みはできず、必ずブロック単位でしか書き込めないが、NOR型よりも書き込み速度が速く、大容量化に適しているので、ディスクのような用途に向いている。さらに最近では、両者の長所を取り入れたような構造のフラッシュも開発されている。

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