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FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

【エフ・イー・ラム】

別名
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 【エフ・ラム】
強誘電体メモリ (ferroelectric memory) 【キョウ・ユウデンタイ・メモリ】

最終更新日: 2002/12/25

 強誘電体薄膜材料を記憶素子として用いた不揮発性メモリ。その理想的な特性から、MRAMなどと並んで、究極のメモリなどと呼ばれることもある。強誘電体とは、電界を加えなくても、自然の状態で誘電分極している物質のこと(簡単にいうと、自然のままの状態でも+や−に帯電している物質のこと)。FRAMは米Ramtron社の登録商標。

 FeRAM(FRAM)は、高速な読み出しや書き込みが可能ながら(データ書き込み速度はフラッシュメモリの10倍以上)、電源を切断しても記憶したデータを保持するという、不揮発性記憶が可能なメモリであり、さらに低電圧でも動作可能、書き換え可能回数がフラッシュメモリやEEPROMに比べて数桁以上大きく、信頼性も高い、回路構造もDRAMと類似しているので高集積化が可能という特徴がある。フラッシュメモリのように単にプログラムを格納するだけでなく、RAMのようにデータ書き込み領域としても利用できるし、不揮発性なのでデータを保持するための電力が不要であり、将来の小型マルチメディア機器などへの応用が期待されている。

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